जिप्सम-आधारित मशीन-स्प्रे केलेल्या प्लास्टर्समधील ग्लोमेरेशन कमी करण्यासाठी नवीन HEMC सेल्युलोज इथरचा विकास

जिप्सम-आधारित मशीन-स्प्रे केलेल्या प्लास्टर्समधील ग्लोमेरेशन कमी करण्यासाठी नवीन HEMC सेल्युलोज इथरचा विकास

जिप्सम-आधारित मशीन-स्प्रेड प्लास्टर (GSP) 1970 पासून पश्चिम युरोपमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जात आहे.यांत्रिक फवारणीच्या उदयाने बांधकाम खर्च कमी करताना प्लास्टरिंग बांधकामाची कार्यक्षमता प्रभावीपणे सुधारली आहे.GSP व्यावसायीकरणाच्या सखोलतेमुळे, पाण्यात विरघळणारे सेल्युलोज इथर हे एक महत्त्वाचे पदार्थ बनले आहे.सेल्युलोज इथर चांगले पाणी धरून ठेवण्याच्या कार्यक्षमतेसह जीएसपी देते, ज्यामुळे सब्सट्रेटच्या प्लास्टरमधील ओलावा शोषण्यास मर्यादित करते, ज्यामुळे स्थिर सेटिंग वेळ आणि चांगले यांत्रिक गुणधर्म प्राप्त होतात.याव्यतिरिक्त, सेल्युलोज इथरचा विशिष्ट rheological वक्र मशीन फवारणीचा प्रभाव सुधारू शकतो आणि त्यानंतरच्या मोर्टार लेव्हलिंग आणि फिनिशिंग प्रक्रिया लक्षणीयरीत्या सुलभ करू शकतो.

जीएसपी ऍप्लिकेशन्समध्ये सेल्युलोज इथरचे स्पष्ट फायदे असूनही, ते फवारणी केल्यावर कोरड्या ढेकूळांच्या निर्मितीमध्ये देखील योगदान देऊ शकते.या न भिजलेल्या गुठळ्यांना क्लंपिंग किंवा केकिंग असेही म्हणतात आणि ते मोर्टारच्या लेव्हलिंग आणि फिनिशिंगवर विपरित परिणाम करू शकतात.एकत्रीकरण साइट कार्यक्षमता कमी करू शकते आणि उच्च-कार्यक्षमता जिप्सम उत्पादन अनुप्रयोगांची किंमत वाढवू शकते.GSP मध्ये गुठळ्यांच्या निर्मितीवर सेल्युलोज इथरचा प्रभाव अधिक चांगल्या प्रकारे समजून घेण्यासाठी, आम्ही त्यांच्या निर्मितीवर परिणाम करणारे संबंधित उत्पादन घटक ओळखण्याचा प्रयत्न करण्यासाठी एक अभ्यास केला.या अभ्यासाच्या परिणामांवर आधारित, आम्ही सेल्युलोज ईथर उत्पादनांची एक मालिका विकसित केली आहे ज्यात एकत्रित होण्याची प्रवृत्ती कमी आहे आणि त्यांचे व्यावहारिक अनुप्रयोगांमध्ये मूल्यांकन केले आहे.

मुख्य शब्द: सेल्युलोज इथर;जिप्सम मशीन स्प्रे प्लास्टर;विघटन दर;कण आकारविज्ञान

1.परिचय

पाण्यातील विरघळणारे सेल्युलोज इथर जिप्सम-आधारित मशीन-स्प्रेड प्लास्टर्स (GSP) मध्ये पाण्याच्या मागणीचे नियमन करण्यासाठी, पाणी धारणा सुधारण्यासाठी आणि मोर्टारचे rheological गुणधर्म सुधारण्यासाठी यशस्वीरित्या वापरले गेले आहेत.म्हणून, ते ओले मोर्टारचे कार्यप्रदर्शन सुधारण्यास मदत करते, ज्यामुळे मोर्टारची आवश्यक ताकद सुनिश्चित होते.त्याच्या व्यावसायिकदृष्ट्या व्यवहार्य आणि पर्यावरणास अनुकूल गुणधर्मांमुळे, ड्राय मिक्स जीएसपी गेल्या 20 वर्षांत संपूर्ण युरोपमध्ये मोठ्या प्रमाणावर वापरले जाणारे अंतर्गत बांधकाम साहित्य बनले आहे.

ड्राय-ब्लेंड GSP मिक्सिंग आणि फवारणीसाठी यंत्रसामग्रीचे अनेक दशकांपासून यशस्वीरित्या व्यावसायिकीकरण केले गेले आहे.वेगवेगळ्या उत्पादकांकडून उपकरणांची काही तांत्रिक वैशिष्ट्ये वेगवेगळी असली तरी, सर्व व्यावसायिकरित्या उपलब्ध फवारणी यंत्रे सेल्युलोज इथर-युक्त जिप्सम ड्राय-मिक्स मोर्टारमध्ये पाणी मिसळण्यासाठी अत्यंत मर्यादित आंदोलन वेळ देतात.साधारणपणे, संपूर्ण मिश्रण प्रक्रियेस फक्त काही सेकंद लागतात.मिसळल्यानंतर, ओले मोर्टार डिलिव्हरी होजमधून पंप केले जाते आणि सब्सट्रेटच्या भिंतीवर फवारले जाते.संपूर्ण प्रक्रिया एका मिनिटात पूर्ण होते.तथापि, इतक्या कमी कालावधीत, ऍप्लिकेशनमध्ये त्यांचे गुणधर्म पूर्णपणे विकसित करण्यासाठी सेल्युलोज इथर पूर्णपणे विसर्जित करणे आवश्यक आहे.जिप्सम मोर्टार फॉर्म्युलेशनमध्ये बारीक ग्राउंड सेल्युलोज इथर उत्पादने जोडणे या फवारणी प्रक्रियेदरम्यान पूर्ण विरघळण्याची खात्री देते.

बारीक ग्राउंड सेल्युलोज इथर स्प्रेअरमधील आंदोलनादरम्यान पाण्याच्या संपर्कात त्वरीत सातत्य निर्माण करते.सेल्युलोज इथरच्या विरघळण्यामुळे जलद स्निग्धता वाढल्याने जिप्सम सिमेंटिशिअस मटेरियल कणांच्या समवर्ती पाणी ओले होण्यास समस्या निर्माण होतात.जसजसे पाणी घट्ट होऊ लागते तसतसे ते कमी द्रव होते आणि जिप्सम कणांमधील लहान छिद्रांमध्ये प्रवेश करू शकत नाही.छिद्रांमध्ये प्रवेश अवरोधित केल्यानंतर, पाण्याद्वारे सिमेंटिशिअस सामग्रीच्या कणांच्या ओल्या प्रक्रियेस विलंब होतो.स्प्रेअरमध्ये मिसळण्याचा वेळ जिप्सम कण पूर्णपणे ओले करण्यासाठी लागणाऱ्या वेळेपेक्षा कमी होता, ज्यामुळे ताज्या ओल्या मोर्टारमध्ये कोरड्या पावडरचे गुच्छे तयार होतात.एकदा हे गठ्ठे तयार झाल्यानंतर, ते नंतरच्या प्रक्रियेत कामगारांच्या कार्यक्षमतेत अडथळा आणतात: गुठळ्यांसह मोर्टार समतल करणे खूप त्रासदायक असते आणि जास्त वेळ लागतो.मोर्टार सेट झाल्यानंतरही, सुरुवातीला तयार झालेले गठ्ठे दिसू शकतात.उदाहरणार्थ, बांधकामादरम्यान गुठळ्या आतून झाकल्याने नंतरच्या टप्प्यात गडद भाग दिसू लागतील, जे आम्हाला पहायचे नाही.

जरी सेल्युलोज इथर अनेक वर्षांपासून GSP मध्ये ऍडिटीव्ह म्हणून वापरले जात असले तरी, न ओले ढेकूळ तयार होण्यावर त्यांच्या प्रभावाचा आतापर्यंत फारसा अभ्यास झालेला नाही.हा लेख एक पद्धतशीर दृष्टीकोन सादर करतो ज्याचा वापर सेल्युलोज इथरच्या दृष्टीकोनातून एकत्रित होण्याचे मूळ कारण समजून घेण्यासाठी केला जाऊ शकतो.

2. जीएसपीमध्ये न ओले गठ्ठे तयार होण्याची कारणे

2.1 प्लास्टर-आधारित प्लास्टरचे ओले करणे

संशोधन कार्यक्रमाच्या स्थापनेच्या सुरुवातीच्या टप्प्यात, सीएसपीमध्ये गुठळ्या तयार होण्याची अनेक संभाव्य मूळ कारणे एकत्र केली गेली.पुढे, संगणक-सहाय्यित विश्लेषणाद्वारे, व्यावहारिक तांत्रिक उपाय आहे की नाही यावर लक्ष केंद्रित केले जाते.या कामांद्वारे, GSP मधील ऍग्लोमेरेट्सच्या निर्मितीसाठी इष्टतम उपाय प्राथमिकपणे तपासण्यात आला.तांत्रिक आणि व्यावसायिक दोन्ही विचारांतून, पृष्ठभागावर उपचार करून जिप्सम कणांचे ओले बदलण्याचा तांत्रिक मार्ग नाकारला जातो.व्यावसायिक दृष्टिकोनातून, सध्याची उपकरणे फवारणी उपकरणांसह बदलण्याची कल्पना विशेषत: डिझाइन केलेल्या मिक्सिंग चेंबरसह ठेवली जाते ज्यामुळे पाणी आणि तोफ यांचे पुरेसे मिश्रण सुनिश्चित करता येईल.

जिप्सम प्लास्टर फॉर्म्युलेशनमध्ये अॅडिटीव्ह म्हणून वेटिंग एजंट्स वापरणे हा दुसरा पर्याय आहे आणि आम्हाला याचे पेटंट आधीच मिळाले आहे.तथापि, या ऍडिटीव्हच्या जोडणीमुळे प्लास्टरच्या कार्यक्षमतेवर अपरिहार्यपणे नकारात्मक परिणाम होतो.अधिक महत्त्वाचे म्हणजे, ते मोर्टारचे भौतिक गुणधर्म बदलते, विशेषतः कडकपणा आणि ताकद.त्यामुळे आम्ही त्यात फार खोलात गेले नाही.याव्यतिरिक्त, ओले करणारे एजंट जोडल्याने पर्यावरणावर विपरित परिणाम होण्याची शक्यता आहे.

सेल्युलोज इथर हे आधीच जिप्सम-आधारित प्लास्टर फॉर्म्युलेशनचा भाग आहे हे लक्षात घेऊन, सेल्युलोज इथरला अनुकूल बनवणे हे निवडले जाऊ शकणारे सर्वोत्तम उपाय आहे.त्याच वेळी, त्याचा पाणी धरून ठेवण्याच्या गुणधर्मांवर किंवा वापरात असलेल्या प्लास्टरच्या rheological गुणधर्मांवर विपरित परिणाम होऊ नये.ढवळत असताना पाण्याच्या संपर्कात आल्यानंतर सेल्युलोज इथरच्या स्निग्धतेत झपाट्याने वाढ झाल्यामुळे जीएसपीमध्ये नॉन-वेटेड पावडरची निर्मिती होते या पूर्वीच्या प्रस्तावित गृहीतकावर आधारित, सेल्युलोज इथरच्या विरघळण्याच्या वैशिष्ट्यांवर नियंत्रण ठेवणे हे आमच्या अभ्यासाचे मुख्य लक्ष्य बनले आहे. .

2.2 सेल्युलोज इथरचा विरघळण्याची वेळ

सेल्युलोज इथरचे विघटन दर कमी करण्याचा एक सोपा मार्ग म्हणजे ग्रॅन्युलर ग्रेड उत्पादने वापरणे.GSP मध्‍ये हा दृष्टिकोन वापरण्‍याचा मुख्‍य तोटा असा आहे की स्‍प्रेअरमध्‍ये खूप खडबडीत कण 10-सेकंदच्‍या लहान आंदोलन विंडोमध्‍ये पूर्णपणे विरघळत नाहीत, ज्यामुळे पाण्याची धारणा कमी होते.याव्यतिरिक्त, नंतरच्या टप्प्यात विरघळलेल्या सेल्युलोज इथरची सूज प्लास्टरिंगनंतर घट्ट होण्यास कारणीभूत ठरेल आणि बांधकाम कार्यक्षमतेवर परिणाम करेल, जे आम्हाला पहायचे नाही.

सेल्युलोज इथरचा विघटन दर कमी करण्याचा दुसरा पर्याय म्हणजे सेल्युलोज इथरच्या पृष्ठभागाला ग्लायॉक्सलसह उलटे क्रॉसलिंक करणे.तथापि, क्रॉसलिंकिंग प्रतिक्रिया pH-नियंत्रित असल्याने, सेल्युलोज इथरचा विघटन दर आसपासच्या जलीय द्रावणाच्या pH वर खूप अवलंबून असतो.स्लेक्ड चुना मिसळलेल्या GSP प्रणालीचे pH मूल्य खूप जास्त असते आणि पृष्ठभागावरील ग्लायॉक्सलचे क्रॉस-लिंकिंग बंध पाण्याशी संपर्क साधल्यानंतर त्वरीत उघडतात आणि स्निग्धता त्वरित वाढू लागते.म्हणून, GSP मध्ये विघटन दर नियंत्रित करण्यासाठी अशा रासायनिक उपचारांची भूमिका बजावता येत नाही.

सेल्युलोज इथरचा विरघळण्याची वेळ देखील त्यांच्या कणांच्या आकारविज्ञानावर अवलंबून असते.तथापि, या वस्तुस्थितीकडे आतापर्यंत फारसे लक्ष दिले गेले नाही, जरी त्याचा परिणाम खूप लक्षणीय आहे.त्यांचा एक स्थिर रेखीय विरघळण्याचा दर आहे [kg/(m2•s)], त्यामुळे त्यांचे विघटन आणि स्निग्धता तयार होणे उपलब्ध पृष्ठभागाच्या प्रमाणात आहे.सेल्युलोज कणांच्या आकारविज्ञानातील बदलांसह हा दर लक्षणीयरीत्या बदलू शकतो.आमच्या गणनेमध्ये असे गृहीत धरले जाते की ढवळत मिक्सिंगच्या 5 सेकंदांनंतर पूर्ण स्निग्धता (100%) गाठली जाते.

वेगवेगळ्या कणांच्या आकारविज्ञानाच्या गणनेवरून असे दिसून आले की गोलाकार कणांमध्ये मिश्रणाच्या अर्ध्या वेळेस अंतिम स्निग्धतेच्या 35% ची स्निग्धता असते.त्याच कालावधीत, रॉड-आकाराचे सेल्युलोज इथर कण फक्त 10% पर्यंत पोहोचू शकतात.डिस्क-आकाराचे कण नंतर विरघळू लागले2.5 सेकंद.

GSP मध्ये सेल्युलोज इथरसाठी आदर्श विद्राव्यता वैशिष्ट्ये देखील समाविष्ट आहेत.प्रारंभिक स्निग्धता तयार होण्यास 4.5 सेकंदांपेक्षा जास्त विलंब करा.त्यानंतर, मिश्रण ढवळण्याच्या वेळेच्या 5 सेकंदात अंतिम स्निग्धता गाठण्यासाठी स्निग्धता वेगाने वाढली.GSP मध्ये, इतका विलंबित विरघळण्याची वेळ सिस्टमला कमी स्निग्धता प्राप्त करण्यास अनुमती देते आणि जोडलेले पाणी जिप्सम कण पूर्णपणे ओले करू शकते आणि कणांमधील छिद्रांमध्ये अडथळा न येता प्रवेश करू शकते.

3. सेल्युलोज इथरचे कण आकारविज्ञान

3.1 कण मॉर्फोलॉजीचे मोजमाप

सेल्युलोज इथर कणांच्या आकाराचा विद्राव्यतेवर इतका महत्त्वपूर्ण प्रभाव पडत असल्याने, प्रथम सेल्युलोज इथर कणांच्या आकाराचे वर्णन करणारे मापदंड निश्चित करणे आवश्यक आहे आणि नंतर ओले न होणार्‍यामधील फरक ओळखण्यासाठी ऍग्लोमेरेट्सची निर्मिती हे विशेषतः संबंधित पॅरामीटर आहे. .

आम्ही डायनॅमिक प्रतिमा विश्लेषण तंत्राद्वारे सेल्युलोज इथरचे कण आकारविज्ञान प्राप्त केले.सेल्युलोज इथरचे कण आकारविज्ञान SYMPATEC डिजिटल इमेज विश्लेषक (जर्मनीमध्ये बनवलेले) आणि विशिष्ट सॉफ्टवेअर विश्लेषण साधने वापरून पूर्णपणे वैशिष्ट्यीकृत केले जाऊ शकते.LEFI(50,3) म्‍हणून व्‍यक्‍त केलेली तंतूंची सरासरी लांबी आणि DIFI(50,3) म्‍हणून व्‍यक्‍त केलेला सरासरी व्यास हे सर्वात महत्त्वाचे कण आकाराचे मापदंड आढळले.फायबर सरासरी लांबीचा डेटा हा एका विशिष्ट पसरलेल्या सेल्युलोज इथर कणाची संपूर्ण लांबी मानला जातो.

सामान्यतः कण आकार वितरण डेटा जसे की सरासरी फायबर व्यास DIFI ची गणना कणांच्या संख्येवर (0 ने दर्शविली जाते), लांबी (1 ने दर्शविली जाते), क्षेत्रफळ (2 ने दर्शविली जाते) किंवा व्हॉल्यूम (3 ने दर्शविली जाते).या पेपरमधील सर्व कण डेटा मोजमाप व्हॉल्यूमवर आधारित आहेत आणि म्हणून 3 प्रत्यय सह सूचित केले आहेत.उदाहरणार्थ, DIFI(50,3) मध्ये, 3 म्हणजे व्हॉल्यूम वितरण, आणि 50 म्हणजे 50% कण आकार वितरण वक्र सूचित मूल्यापेक्षा लहान आहे आणि इतर 50% सूचित मूल्यापेक्षा मोठे आहे.सेल्युलोज इथर कण आकार डेटा मायक्रोमीटर (µm) मध्ये दिलेला आहे.

3.2 कण मॉर्फोलॉजी ऑप्टिमायझेशन नंतर सेल्युलोज इथर

कणांच्या पृष्ठभागाचा प्रभाव लक्षात घेता, रॉड सारख्या कण आकारासह सेल्युलोज इथर कणांचा कण विरघळण्याची वेळ सरासरी फायबर व्यास DIFI (50,3) वर अवलंबून असते.या गृहितकाच्या आधारे, पावडरची विद्राव्यता सुधारण्यासाठी सेल्युलोज इथरवरील विकासाचे काम मोठ्या सरासरी फायबर व्यास DIFI (50,3) सह उत्पादने मिळविण्याचे उद्दिष्ट होते.

तथापि, सरासरी फायबर लांबी DIFI(50,3) मध्ये वाढ सरासरी कण आकारात वाढ होणे अपेक्षित नाही.दोन्ही पॅरामीटर्स एकत्र वाढवल्याने यांत्रिक फवारणीच्या ठराविक 10-सेकंद आंदोलनाच्या वेळेत पूर्ण विरघळण्यासाठी खूप मोठे कण तयार होतील.

म्हणून, एक आदर्श हायड्रॉक्सीथाइलमेथिलसेल्युलोज (HEMC) मध्ये सरासरी फायबर लांबी LEFI(50,3) राखताना DIFI(50,3) फायबर व्यासाचा मोठा असावा.आम्ही सुधारित HEMC तयार करण्यासाठी नवीन सेल्युलोज इथर उत्पादन प्रक्रिया वापरतो.या उत्पादन प्रक्रियेद्वारे प्राप्त झालेल्या पाण्यात विरघळणाऱ्या सेल्युलोज इथरचा कण आकार उत्पादनासाठी कच्चा माल म्हणून वापरल्या जाणार्‍या सेल्युलोजच्या कणांच्या आकारापेक्षा पूर्णपणे वेगळा असतो.दुसऱ्या शब्दांत, उत्पादन प्रक्रिया सेल्युलोज इथरच्या कणांच्या आकाराची रचना त्याच्या उत्पादन कच्च्या मालापासून स्वतंत्र होऊ देते.

तीन स्कॅनिंग इलेक्ट्रॉन मायक्रोस्कोप प्रतिमा: मानक प्रक्रियेद्वारे उत्पादित सेल्युलोज इथरपैकी एक आणि पारंपारिक प्रक्रिया साधन उत्पादनांपेक्षा DIFI(50,3) च्या मोठ्या व्यासासह नवीन प्रक्रियेद्वारे उत्पादित सेल्युलोज इथरपैकी एक.या दोन उत्पादनांच्या निर्मितीमध्ये वापरल्या जाणार्‍या बारीक ग्राउंड सेल्युलोजचे आकारविज्ञान देखील दर्शविले आहे.

मानक प्रक्रियेद्वारे उत्पादित सेल्युलोज आणि सेल्युलोज इथरच्या इलेक्ट्रॉन मायक्रोग्राफची तुलना केल्यास, हे शोधणे सोपे आहे की दोन्हीमध्ये समान स्वरूपाची वैशिष्ट्ये आहेत.दोन्ही प्रतिमांमधील कणांची मोठी संख्या सामान्यत: लांब, पातळ रचना दर्शविते, जे सूचित करतात की रासायनिक अभिक्रिया झाल्यानंतरही मूलभूत स्वरूपशास्त्रीय वैशिष्ट्ये बदललेली नाहीत.हे स्पष्ट आहे की प्रतिक्रिया उत्पादनांची कण आकारविज्ञान वैशिष्ट्ये कच्च्या मालाशी अत्यंत परस्परसंबंधित आहेत.

असे आढळून आले की नवीन प्रक्रियेद्वारे उत्पादित सेल्युलोज इथरची आकारात्मक वैशिष्ट्ये लक्षणीयरीत्या भिन्न आहेत, त्यात मोठा सरासरी व्यास DIFI (50,3) आहे, आणि प्रामुख्याने गोलाकार लहान आणि जाड कणांचे आकार सादर करतात, तर सामान्य पातळ आणि लांब कण. सेल्युलोज कच्च्या मालामध्ये जवळजवळ नामशेष.

ही आकृती पुन्हा दर्शवते की नवीन प्रक्रियेद्वारे उत्पादित सेल्युलोज इथरचे कण आकारविज्ञान यापुढे सेल्युलोज कच्च्या मालाच्या आकारविज्ञानाशी संबंधित नाही - कच्च्या मालाचे आकारविज्ञान आणि अंतिम उत्पादन यांच्यातील दुवा यापुढे अस्तित्वात नाही.

4. जीएसपीमध्ये न भिजलेल्या गुठळ्यांच्या निर्मितीवर एचईएमसी कण आकारविज्ञानाचा प्रभाव

GSP ची चाचणी फील्ड ऍप्लिकेशनच्या परिस्थितीत केली गेली होती की कार्यप्रणालीबद्दलची आमची गृहीते (की मोठ्या मध्यम व्यासासह DIFI (50,3) सेल्युलोज इथर उत्पादन वापरल्याने अवांछित समूहीकरण कमी होईल) बरोबर आहे.या प्रयोगांमध्ये 37 µm ते 52 µm पर्यंतचे DIFI(50,3) सरासरी व्यास असलेले HEMC वापरले गेले.कण आकारविज्ञान व्यतिरिक्त इतर घटकांचा प्रभाव कमी करण्यासाठी, जिप्सम प्लास्टर बेस आणि इतर सर्व ऍडिटीव्ह अपरिवर्तित ठेवण्यात आले.चाचणी दरम्यान सेल्युलोज इथरची चिकटपणा स्थिर ठेवली गेली (60,000mPa.s, 2% जलीय द्रावण, HAAKE रिओमीटरने मोजले गेले).

व्यावसायिकरित्या उपलब्ध जिप्सम स्प्रेअर (PFT G4) हे ऍप्लिकेशन चाचण्यांमध्ये फवारणीसाठी वापरले गेले.भिंतीवर लावल्यानंतर लगेच जिप्सम मोर्टारच्या न ओले गठ्ठा तयार होण्यावर लक्ष केंद्रित करा.प्लास्टरिंग ऍप्लिकेशन प्रक्रियेदरम्यान या टप्प्यावर क्लंपिंगचे मूल्यांकन उत्पादनाच्या कार्यक्षमतेतील फरक उत्तम प्रकारे प्रकट करेल.चाचणीमध्ये, अनुभवी कामगारांनी क्लंपिंग स्थितीचे मूल्यांकन केले, 1 सर्वोत्तम आणि 6 सर्वात वाईट होते.

चाचणी परिणाम सरासरी फायबर व्यास DIFI (50,3) आणि क्लंपिंग परफॉर्मन्स स्कोअर यांच्यातील परस्परसंबंध स्पष्टपणे दर्शवतात.मोठ्या DIFI(50,3) सह सेल्युलोज ईथर उत्पादनांनी लहान DIFI(50,3) उत्पादनांना मागे टाकले या आमच्या गृहितकाशी सुसंगत, 52 µm पैकी DIFI(50,3) साठी सरासरी स्कोअर 2 (चांगला) होता, तर DIFI(चांगला) 37µm पैकी 50,3) आणि 40µm ने 5 गुण मिळवले (अपयश).

आम्ही अपेक्षेप्रमाणे, GSP ऍप्लिकेशन्समधील क्लंपिंग वर्तन वापरलेल्या सेल्युलोज इथरच्या सरासरी व्यास DIFI(50,3) वर लक्षणीयपणे अवलंबून असते.शिवाय, मागील चर्चेत असे नमूद केले गेले होते की सर्व मॉर्फोलॉजिकल पॅरामीटर्सपैकी DIFI(50,3) सेल्युलोज इथर पावडरच्या विरघळण्याच्या वेळेवर जोरदार परिणाम करतात.हे पुष्टी करते की सेल्युलोज इथर विरघळण्याची वेळ, जी कणांच्या आकारविज्ञानाशी अत्यंत सहसंबंधित आहे, जीएसपीमध्ये गुठळ्यांच्या निर्मितीवर परिणाम करते.मोठ्या DIFI (50,3) मुळे पावडरचे विरघळण्याची वेळ जास्त असते, ज्यामुळे ग्लोमेरेशनची शक्यता लक्षणीयरीत्या कमी होते.तथापि, खूप जास्त पावडर विरघळण्याची वेळ सेल्युलोज इथरला फवारणी उपकरणाच्या ढवळण्याच्या वेळेत पूर्णपणे विरघळणे कठीण करेल.

मोठ्या सरासरी फायबर व्यास DIFI(50,3) मुळे ऑप्टिमाइझ केलेल्या विघटन प्रोफाइलसह नवीन HEMC उत्पादनामध्ये जिप्सम पावडरचे चांगले ओले होणे (क्लम्पिंग मूल्यांकनात दिसून आले आहे) तर आहेच, परंतु पाण्याच्या प्रतिधारण कार्यक्षमतेवर देखील परिणाम होत नाही. उत्पादन.EN 459-2 नुसार मोजलेले पाणी धारणा DIFI(50,3) 37µm ते 52µm मधील समान स्निग्धता असलेल्या HEMC उत्पादनांपासून वेगळे करता येत नाही.5 मिनिटे आणि 60 मिनिटांनंतरची सर्व मोजमाप आलेखामध्ये दर्शविलेल्या आवश्यक श्रेणीमध्ये येतात.

तथापि, हे देखील पुष्टी होते की DIFI(50,3) खूप मोठे झाल्यास, सेल्युलोज इथर कण यापुढे पूर्णपणे विरघळणार नाहीत.59 µM उत्पादनापैकी DIFI(50,3) चाचणी करताना हे आढळून आले.त्याची पाणी धारणा चाचणी 5 मिनिटांनंतर आणि विशेषत: 60 मिनिटांनंतर आवश्यक किमान पूर्ण करण्यात अयशस्वी ठरली.

5. सारांश

सेल्युलोज इथर हे GSP फॉर्म्युलेशनमध्ये महत्त्वाचे अॅडिटीव्ह आहेत.येथील संशोधन आणि उत्पादन विकास कार्य सेल्युलोज इथरच्या कणांच्या आकारविज्ञान आणि यांत्रिकरित्या फवारणी केल्यावर न ओले गठ्ठे (तथाकथित क्लंपिंग) यांच्यातील परस्परसंबंध पाहतो.सेल्युलोज इथर पावडरच्या विरघळण्याच्या वेळेचा पाण्याने जिप्सम पावडर ओल्या होण्यावर परिणाम होतो आणि त्यामुळे गुठळ्या तयार होण्यावर परिणाम होतो, या कार्यप्रणालीच्या गृहीतकावर हे आधारित आहे.

विरघळण्याची वेळ सेल्युलोज इथरच्या कणांच्या आकारविज्ञानावर अवलंबून असते आणि डिजिटल प्रतिमा विश्लेषण साधनांचा वापर करून मिळवता येते.GSP मध्ये, DIFI (50,3) च्या मोठ्या सरासरी व्यासासह सेल्युलोज इथरमध्ये पावडर विरघळण्याची वैशिष्ट्ये ऑप्टिमाइझ केली जातात, ज्यामुळे पाण्याला जिप्सम कण पूर्णपणे ओले करण्यासाठी अधिक वेळ मिळतो, त्यामुळे इष्टतम अँटी-एग्लोमेरेशन सक्षम होते.या प्रकारच्या सेल्युलोज इथरची निर्मिती नवीन उत्पादन प्रक्रिया वापरून केली जाते आणि त्याचे कण स्वरूप उत्पादनासाठी कच्च्या मालाच्या मूळ स्वरूपावर अवलंबून नसते.

सरासरी फायबर व्यास DIFI (50,3) चा क्लंपिंगवर खूप महत्त्वाचा प्रभाव आहे, जे साइटवर फवारणीसाठी व्यावसायिकरित्या उपलब्ध मशीन-स्प्रे केलेल्या जिप्सम बेसमध्ये हे उत्पादन जोडून सत्यापित केले गेले आहे.शिवाय, या फील्ड स्प्रे चाचण्यांनी आमच्या प्रयोगशाळेच्या निकालांची पुष्टी केली: मोठ्या DIFI (50,3) सह सर्वोत्तम कामगिरी करणारी सेल्युलोज इथर उत्पादने GSP आंदोलनाच्या वेळेत पूर्णपणे विरघळणारी होती.म्हणून, कण आकार सुधारल्यानंतर सर्वोत्तम अँटी-केकिंग गुणधर्मांसह सेल्युलोज इथर उत्पादन मूळ पाणी धारणा कार्यक्षमता कायम ठेवते.